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北野精機株式会社
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薄膜作製装置

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スパッタリング装置Sputtering System

スパッタリング装置 Sputtering System

外観図 Dimensions
特徴

固体表面にイオン化して加速した原子あるいは分子を衝突させることにより、固体表面から固体材料が飛び出してくる現象(スッパッタリング)を利用した成膜装置です。高融点金属や合金材料、誘電体、絶縁材料にも適用できる為に、工業的利用価値が高い。(7.1.3)

納入実績

東京大学、東京工業大学、(独)物質・材料研究機構、(独)産業技術総合研究所、(独)理化学研究所
…他

見積もり
スパッタリング装置
※御客様の仕様に合わせた設計製作を承っておりますので、弊社までお問い合わせください。
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マグネトロン・スパッタリング蒸着装置 Magnetron Sputtering Deposition System

外観図 Dimensions
装置外観
装置外観
4“マグネトロン・スパッタ源
装置全体図
CADデータ(準備中)
見積もり
マグネトロン・スパッタリング蒸着装置
特徴

本装置はDCマグネトロンスパッタ源を用いたブレーナー型マグネトロンスパッタリング超高真空薄膜作製装置です。
均一な成膜が可能なサンプルホルダー 回転機構を有し、試料冷却が同時に行えるシステムにより試料のダメージがありません。最大3元のターゲットが装着可能で多層成膜に優れております。またサンプル及びティップ搬送の操作性や、安全にご使用頂く為のインターロック機能など人間工学に基づいたデザインです。

仕様 Specification
到達真空度 ≦1.0E-7 Pa
基盤加熱温度 基盤表面温度 Max500℃
試料搬送機構 トランスファーロッド方式
蒸着源制御 エミッション及びスイープ制御
装置構成
  • スパッタ成膜室
  • 蒸着ステージ駆動機構
  • 試料冷却ステージ駆動機構
  • 試料基盤シャッター機構
  • ロードロック室
  • 試料搬送機構
  • 蒸着源用コントローラー
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4元マグネトロンスパッタリング装置 4Source Magnetron Sputtering Deposition System

本装置はDCマグネトロンスパッタ源を用いたブレーナー型マグネトロンスパッタリング装置です。弊社独自のロードロック室を設けた、超高真空対応型です。成膜時に均一に成膜が可能な試料回転式になっております。
また、試料のダメージを無くす試料冷却が回転しながら可能です。最大4元までターゲットが装着可能な構造になっており、多層成膜が可能です。将来性を考えたマルチチャンバー対応型となっておりますので、今御使用中の装置などにも簡単に接続が可能です。

仕様 Specification
  • 真空計を除く全ての真空構成部品は200℃以上での繰り返しベーキングが可能です。
  • 超高真空対応チャンバーとし、Heリークディテクターによるリーク量が1.33×10-11Pa・m3/sec以下です。
  • 2インチの基板に対応する基板ホルダー(Mo製)を使用することができます。
  • 基板ホルダーはオプションである弊社製トランスファーロッドにより試料ステージ上のホルダー固定機構まで手動で安全に搬送することができます。
  • 架台はキャスター及びレベル調整機能付きです。
  • マグネトロンスパッタ源に合わせて設計致します。
各部説明
  • 超高真空チャンバー
    形状 ICF-356-N特殊/203/152/114/70 超高真空チャンバー
    ポート ICF-203、ICF-152、ICF-114、ICF-70
    材質 SUS316L
    表面処理 複合電解研磨鏡面仕上げ
    高温処理 真空ベーキング 450℃×48時間以上
    リーク量 5×10-11Pa・m3/sec
    到達真空度 1×10-11Torr以下
    (液体窒素シュラウド冷却かつ300l/s以上のターボ分子ポンプまたは、300l/s以上のイオンポンプ使用時)
  • 3軸マニピュレーター
    Z方向 100mm(上下機構 KUD-114/100Z)
    モーター駆動
    3軸マニピュレーター
    R方向 360°(∞)(回転プラットホーム KMRP-114)
    モーター駆動
    チルト方向 90°(上下機構 KUD-114/70SP)
    モーター駆動
  • モーターコントローラー
    ステッピングモーター用コントローラー
    専用ボックス付き
  • サンプル加熱ヒーター
    方式 爪押さえ型
    到達温度 基盤表面温度 Max1200℃
    ヒーター材 Ta(ヒーター部) モリブデン(本体)
    電極には、ロータリージョイントを採用
  • 下部フランジ
    形状 ICF-356/152×4/70×1 下部フランジ
    ポート ICF-203、ICF-152、ICF-114、ICF-70
    材質 SUS316L
    表面処理 複合電解研磨鏡面仕上げ
    高温処理 真空ベーキング 450℃×48時間以上
    リーク量 5×10-11Pa・m3/sec
  • 液体窒素シュラウド
    材質 ステンレス316L 液体窒素シュラウド
    方式 液体窒素溜め込み式(8/3″パイプ使用)
    処理 バフ研磨鏡面仕上げ、ヒートサイクル処理(10回)
    リーク量 5×10-8Pa・m3/sec
  • メインシャッター機構
    方式 トランスファーロッド方式(オプション/モーター駆動) メインシャッター機構
  • 膜厚センサー移動機構
    センサー 水晶振動子(オプション) 膜厚センサー移動機構
    取付フランジ ICF-70
    移動距離 100mm(精度0.1mm)
  • 架台
    材質 SS材/焼付塗装処理(黒色)
    寸法形状 600×1200×1500
    キャスター・アジャスター付き
  • ユーティリティー
    AC100V 単相 30A
    AC200V 三相 20A
    圧縮空気 5kg/cm2
    冷却水 循環水使用(1次側工事は含まれておりません)
見積もり
4元マグネトロンスパッタリング装置
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